VS-40TPS12-M3 vs VS-40APS16PBF

Cette comparaison détaillée des composants VS-40TPS12-M3 et VS-40APS16PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification VS-40TPS12-M3 VS-40APS16PBF
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Part Status Active Obsolete
Diode Type - Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) - 1600 V
Current - Average Rectified(Io) - 40A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If - 1.14 V @ 40 A
Speed - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr - 100 µA @ 1600 V
Mounting Type Through Hole Through Hole
Voltage - Off State 1.2 kV -
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) 2.5 V -
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) 150 mA -
Voltage - On State(Vtm)(Max) 1.85 V -
Current - On State(It(AV))(Max) 35 A -
Current - On State(It(RMS))(Max) 55 A -
Current - Hold(Ih)(Max) 200 mA -
Current - Off State(Max) 500 µA -
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) 500A @ 50Hz -
SCR Type Standard Recovery -
Operating Temperature -40°C ~ 125°C -