STPSC1006D vs STPSC4H065DI

Cette comparaison détaillée des composants STPSC1006D et STPSC4H065DI vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC1006D STPSC4H065DI
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V 650 V
Current - Average Rectified(Io) 10A 4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 300 µA @ 600 V 40 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 650pF @ 0V, 1MHz -
Mounting Type Through Hole Through Hole