STPSC40H12CWL vs STPSC1006D

Cette comparaison détaillée des composants STPSC40H12CWL et STPSC1006D vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC40H12CWL STPSC1006D
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V 600 V
Current - Average Rectified(Io) - 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 20 A 1.75 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 120 µA @ 1200 V 300 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F - 650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series ECOPACK® -
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode -
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 38A -
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C -