STGW60H65DFB vs STGW60V60DF

Cette comparaison détaillée des composants STGW60H65DFB et STGW60V60DF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60H65DFB

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 1815 PCS
Package: TO-247
Series: Transistor - IGBT - simple

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Part B

STGW60V60DF

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 4362 PCS
Package: TO-247
Series: Transistor - IGBT - simple

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Full specification comparison

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Specification	STGW60H65DFB	STGW60V60DF
Part Status	Last Time Buy	Active
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	650 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	240 A	240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2V @ 15V, 60A	2.3V @ 15V, 60A
Power - Max	375 W	375 W
Switching Energy	1.09mJ (on), 626µJ (off)	750µJ (on), 550µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	306 nC	334 nC
Td(on / off) @ 25°C	51ns/160ns	60ns/208ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V	400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	60 ns	74 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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