STGW60H65DFB vs STGW60V60DLF

Cette comparaison détaillée des composants STGW60H65DFB et STGW60V60DLF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

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Specification STGW60H65DFB STGW60V60DLF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A -
Power - Max 375 W -
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) -
Input Type Standard -
Gate Charge 306 nC -
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns -
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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