STGW60V60DF vs STGW60H65DF

Cette comparaison détaillée des composants STGW60V60DF et STGW60H65DF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60V60DF

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 4362 PCS
Package: TO-247
Series: Transistor - IGBT - simple

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Part B

STGW60H65DF

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 3361 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistor - IGBT - simple

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Full specification comparison

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Specification	STGW60V60DF	STGW60H65DF
Supplier	-	STMicroelectronics
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	120 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	240 A	240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.3V @ 15V, 60A	1.9V @ 15V, 60A
Power - Max	375 W	360 W
Switching Energy	750µJ (on), 550µJ (off)	1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	334 nC	206 nC
Td(on / off) @ 25°C	60ns/208ns	67ns/165ns
Test Condition	400V, 60A, 4.7Ohm, 15V	400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	74 ns	62 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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