STD10NM60N vs STD10N60M2
Cette comparaison détaillée des composants STD10N60M2 et STD10NM60N vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-252-3
TO-252-3
Description
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Series
MDmesh™ II Plus
MDmesh™ II
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.5A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
600mOhm @ 3A, 10V
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13.5 nC @ 10 V
19 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
400 pF @ 100 V
540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
85W (Tc)
70W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Connexes
4433 PCS
