STD10N60M2 vs STD10PF06T4
Cette comparaison détaillée des composants STD10PF06T4 et STD10N60M2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-252
TO-252-3
Description
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Series
STripFET™ II
MDmesh™ II Plus
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
7.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
200mOhm @ 5A, 10V
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
21 nC @ 10 V
13.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
850 pF @ 25 V
400 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max)
40W (Tc)
85W (Tc)
OperatingTemperature
175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Connexes
4433 PCS
