SBC846BWT1G vs SBC847CDW1T1

Cette comparaison détaillée des composants SBC846BWT1G et SBC847CDW1T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SBC846BWT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 4193 PCS
Package: SOT-323
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

+Nomenclature Demande de devis

Part B

SBC847CDW1T1

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3768 PCS
Series: Amplificateur linéaire - spécial

+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SBC846BWT1G	SBC847CDW1T1
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Series	Automotive, AEC-Q101	-
Transistor Type	NPN	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	65 V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	150 mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

Compare Demande de devis