MMBTA64LT1G vs MMBTA56LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBTA64LT1G et MMBTA56LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA64LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 1290 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

MMBTA56LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3861 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	MMBTA64LT1G	MMBTA56LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP - Darlington	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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