MMBTA05LT1G vs MMBTA64LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBTA05LT1G et MMBTA64LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBTA05LT1G MMBTA64LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN PNP - Darlington
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 60 V 30 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 10mA, 100mA 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 100mA, 1V 20000 @ 100mA, 5V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 100MHz 125MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount