MMBTA56LT1G vs MMBTA06LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBTA56LT1G et MMBTA06LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBTA56LT1G MMBTA06LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 50MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount