MMBT5551 vs MMBT5550LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBT5551 et MMBT5550LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistor - Transistor bipolaire (BJT) - Transistor bipolaire unique
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Specification MMBT5551 MMBT5550LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 60 @ 10mA, 5V
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