MMBT5401LT1G vs MMBT5551

Cette comparaison détaillée des composants MMBT5401LT1G et MMBT5551 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistor - Transistor bipolaire (BJT) - Transistor bipolaire unique
+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5401LT1G MMBT5551
Part Status Active Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 300MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V
Packaging - Tape & Reel (TR)
Compare Demande de devis