MMBFJ202 vs MMBFJ271

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ202 et MMBFJ271 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ202 MMBFJ271
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 40 V 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V 6 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA 1.5 V @ 1 nA
Power - Max 350 mW 225 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount