MMBFJ202 vs MMBFJ177_G
Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ202 et MMBFJ177_G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-236-3
TO-236-3
Description
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
INTEGRATED CIRCUIT
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
1.5 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
800 mV @ 10 nA
Power-Max
350 mW
225 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
