MMBFJ175LT1G vs MMBFJ309

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ175LT1G et MMBFJ309 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ175LT1G MMBFJ309
Supplier - onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 450MHz
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 30mA
Noise Figure - 3dB
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 125 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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