MJD45H11T4 vs MJD45H11TF

Cette comparaison détaillée des composants MJD45H11T4 et MJD45H11TF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 3019 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

+Nomenclature Demande de devis

Part B

MJD45H11TF

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3600 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MJD45H11T4	MJD45H11TF
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	10µA	10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	40 @ 4A, 1V
Power - Max	20 W	1.75 W
Frequency - Transition	-	40MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Demande de devis