MJD45H11T4 vs MJD45H11RL

Cette comparaison détaillée des composants MJD45H11T4 et MJD45H11RL vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

Semi - conducteurs optiques

Lifecycle: Active
Stock: 3019 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

MJD45H11RL

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 7292 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	MJD45H11T4	MJD45H11RL
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	10µA	1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	60 @ 2A, 1V
Power - Max	20 W	20 W
Frequency - Transition	-	90MHz
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	150°C (TJ)	-

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