MBR120VLSFT1G vs MBR120VLSFT3

Cette comparaison détaillée des composants MBR120VLSFT1G et MBR120VLSFT3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20 V 20 V
Current - Average Rectified(Io) 1A 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 340 mV @ 1 A 340 mV @ 1 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 600 µA @ 20 V 600 µA @ 20 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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