MBR120LSFT1G vs MBR120VLSFT1G

Cette comparaison détaillée des composants MBR120LSFT1G et MBR120VLSFT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MBR120LSFT1G MBR120VLSFT1G
Part Status Active Active
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20 V 20 V
Current - Average Rectified(Io) 1A 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 450 mV @ 1 A 340 mV @ 1 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 400 µA @ 20 V 600 µA @ 20 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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