LM311DR vs LM311DR2

Cette comparaison détaillée des composants LM311DR et LM311DR2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LM311DR

+Nomenclature

4713 PCS | Texas Instruments
LM311DR2

+Nomenclature

6545 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC (D)-8
Description IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current-Quiescent(Max) 7.5mA -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -
MountingType Surface Mount -
Modèle de comparaison : LM311DR LM311DR2

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