LM311DR vs LM311DE4

Cette comparaison détaillée des composants LM311DR et LM311DE4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LM311DR

+Nomenclature

4713 PCS | Texas Instruments
LM311DE4

+Nomenclature

2715 PCS | Texas Instruments
Package SOIC (D)-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC DIFF COMPARATOR STROBE 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current-Quiescent(Max) 7.5mA 7.5mA
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LM311DR LM311DE4

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