JANTX2N6796 vs JANTX2N3029

Cette comparaison détaillée des composants JANTX2N6796 et JANTX2N3029 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification JANTX2N6796 JANTX2N3029
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-S-19500/419
Part Status Obsolete Active
Voltage - Off State - 1 kV
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Voltage - On State(Vtm)(Max) - 1.5 V
Current - On State(It(RMS))(Max) - 250 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 5 mA
Current - Off State(Max) - 100 nA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) - 5A, 8A
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
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