JANTX2N6796 vs JANTX2N2060

Cette comparaison détaillée des composants JANTX2N6796 et JANTX2N2060 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification JANTX2N6796 JANTX2N2060
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/270
Part Status Obsolete Active
Transistor Type - 2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) - 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 60V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 10µA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 50 @ 10mA, 5V
Power - Max - 600mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
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