ISL6612ACBZ vs ISL6612ACB-T

Cette comparaison détaillée des composants ISL6612ACBZ et ISL6612ACB-T vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
ISL6612ACBZ

+Nomenclature

5184 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
ISL6612ACB-T

+Nomenclature

5565 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.25A, 2A 1.25A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 36 V 36 V
Rise/FallTime(Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns
OperatingTemperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : ISL6612ACBZ ISL6612ACB-T

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