ISL6612ACBZ vs ISL6609AIBZ Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants ISL6612ACBZ et ISL6609AIBZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
ISL6612ACBZ

+Nomenclature

5184 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
ISL6609AIBZ

+Nomenclature

5869 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Last Time Buy Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10.8V ~ 13.2V 4.5V ~ 5.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.25A, 2A -, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 36 V 36 V
Rise / Fall Time(Typ) 26ns, 18ns 8ns, 8ns
Operating Temperature 0°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH - 1V, 2V
Modèle de comparaison : ISL6612ACBZ ISL6609AIBZ

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