IRLML5203TRPBF vs IRLML0030TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML5203TRPBF et IRLML0030TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML5203TRPBF IRLML0030TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IRLML5203 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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