IRLML2803TRPBF vs IRLML6401TRPBF
Cette comparaison détaillée des composants IRLML6401TRPBF et IRLML2803TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOT23
Description
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRLML6401
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FET Type
P-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
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Vgs (Max)
±8V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
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Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
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4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
540mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
