IRLML2803TRPBF vs IRLML5103TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML5103TRPBF et IRLML2803TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRLML5103TRPBF

+Nomenclature

5732 PCS | Technologie Infineon
IRLML2803TRPBF

+Nomenclature

3918 PCS | Technologie Infineon
Package SOT23-3 SOT23
Description MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 760mA (Ta) 1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 600mA, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.1 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 75 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 540mW (Ta) 540mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRLML5103TRPBF IRLML2803TRPBF

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