IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML5103TRPBF et IRLML6346TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRLML5103TRPBF

+Nomenclature

5732 PCS | Technologie Infineon
IRLML6346TRPBF

+Nomenclature

7049 PCS | Technologie Infineon
Package SOT23-3 SOT23
Description MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 760mA (Ta) 3.4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 600mA, 10V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.1 nC @ 10 V 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 75 pF @ 25 V 270 pF @ 24 V
PowerDissipation(Max) 540mW (Ta) 1.3W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRLML5103TRPBF IRLML6346TRPBF

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