IRLML2246TRPBF vs IRLML2030TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML2246TRPBF et IRLML2030TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML2246TRPBF IRLML2030TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.6A (Ta) 2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 135mOhm @ 2.6A, 4.5V 100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.1V @ 10µA 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V 1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 220 pF @ 16 V 110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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