IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

Cette comparaison détaillée des composants IRGP35B60PDPBF et IRGP35B60PD-EP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PD-EP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 2.55V @ 15V, 35A
Power - Max 308 W 308 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 160 nC
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns 26ns/110ns
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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