IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B120KDPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRGP35B60PDPBF et IRGP30B120KDPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3801 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistor - IGBT - simple

+Nomenclature Demande de devis

Part B

IRGP30B120KDPBF

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 7687 PCS
Package: TO-247-3
Series: Transistor - IGBT - simple

+Nomenclature Demande de devis

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP30B120KDPBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	4V @ 15V, 60A
Power - Max	308 W	300 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	169 nC
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	300 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	-

Compare Demande de devis