IRGIB15B60KD1P vs IRGIB6B60KDPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRGIB15B60KD1P et IRGIB6B60KDPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 4013 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistor - IGBT - simple

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Part B

IRGIB6B60KDPBF

Technologie Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 7268 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistor - IGBT - simple

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Full specification comparison

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Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB6B60KDPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	11 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	22 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	2.2V @ 15V, 5A
Power - Max	52 W	38 W
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	110µJ (on), 135µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	56 nC	18.2 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	25ns/215ns
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	70 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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