IRGIB15B60KD1P
Technologie Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4013 PCS
- Package
- TO-220-3
- Series
- Transistor - IGBT - simple
Cette comparaison détaillée des composants IRGIB15B60KD1P et IRGIB4607DPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.
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| Specification | IRGIB15B60KD1P | IRGIB4607DPBF |
|---|---|---|
| Supplier | Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 19 A | 7 A |
| Switching Energy | 127µJ (on), 334µJ (off) | 62µJ (on), 140µJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| IGBT Type | NPT | - |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 38 A | - |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.2V @ 15V, 15A | - |
| Power - Max | 52 W | - |
| Gate Charge | 56 nC | - |
| Td(on / off) @ 25°C | 30ns/173ns | - |
| Test Condition | 400V, 15A, 22Ohm, 15V | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 67 ns | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |