IRFR5505 vs IRFR5410PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFR5505 et IRFR5410PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFR5505 IRFR5410PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Discontinued at Digi-Key
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) 13A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 110mOhm @ 9.6A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 57W (Tc) 66W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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