IRFP250NPBF vs IRFP264PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFP264PBF et IRFP250NPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFP264PBF

+Nomenclature

2754 PCS | Siliconix
IRFP250NPBF

+Nomenclature

1318 PCS | Technologie Infineon
Package TO-247-3 TO-247
Description MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 38A (Tc) 30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 75mOhm @ 23A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5400 pF @ 25 V 2159 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 214W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Modèle de comparaison : IRFP264PBF IRFP250NPBF

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