IRFB7530PBF vs IRFB7545PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB7530PBF et IRFB7545PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB7530PBF IRFB7545PBF
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Not For New Designs Active
Base Product Number IRFB7530 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 95A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 5.9mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3.7V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 4010 pF @ 25 V
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