IRFB7530PBF vs IRFB7446PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB7530PBF et IRFB7446PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB7530PBF IRFB7446PBF
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 3.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 93 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 3183 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 99W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRFB7530 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703 pF @ 25 V -
Packaging Tube -
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