IRFB7545PBF vs IRFB7440PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB7545PBF et IRFB7440PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB7545PBF IRFB7440PBF
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 95A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) 143W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare Demande de devis