IRFB4615PBF vs IRFB4110PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFB4110PBF et IRFB4615PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO220-3
TO-220-3
Description
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
120A (Tc)
35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
210 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9620 pF @ 50 V
1750 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
370W (Tc)
144W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
