IRFB4410ZPBF vs IRFB4110PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFB4110PBF et IRFB4410ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220
TO-220
Description
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
120A (Tc)
97A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
120 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
4820 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
230W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
