IRFB4019PBF vs IRFB4110PBF Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants IRFB4110PBF et IRFB4019PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220
TO-220-3
Description
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
120A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
