IRFB4310ZPBF vs IRFB4019PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFB4019PBF et IRFB4310ZPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220-3
TO-220-3
Description
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
95mOhm @ 10A, 10V
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4.9V @ 50µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
20 nC @ 10 V
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
800 pF @ 50 V
6860 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
80W (Tc)
250W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
-
HEXFET®
