IRFB4227PBF vs IRFB4115PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4227PBF et IRFB4115PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB4227PBF IRFB4115PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc) 104A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 24mOhm @ 46A, 10V 11mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 5270 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 380W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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