IRFB4020PBF vs IRFB4019PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4019PBF et IRFB4020PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRFB4019PBF

+Nomenclature

6417 PCS | Redresseur international
IRFB4020PBF

+Nomenclature

1864 PCS | Technologie Infineon
Package TO-220-3 TO220-3
Description IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc) 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 95mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.9V @ 50µA 4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 800 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 80W (Tc) 100W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modèle de comparaison : IRFB4019PBF IRFB4020PBF

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