IRFB4229PBF vs IRFB4020PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB4229PBF et IRFB4020PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB4229PBF IRFB4020PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 46A (Tc) 18A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 1200 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 100W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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