IRFB4020PBF vs IRFB4229PBF
Cette comparaison détaillée des composants IRFB4229PBF et IRFB4020PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
TO-220
TO220-3
Description
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
250 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
46A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
46mOhm @ 26A, 10V
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
110 nC @ 10 V
29 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4560 pF @ 25 V
1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
330W (Tc)
100W (Tc)
OperatingTemperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
