IRFB3207PBF vs IRFB3607PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3207PBF et IRFB3607PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB3207PBF IRFB3607PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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