IRFB3307PBF vs IRFB3306PBF

Cette comparaison détaillée des composants IRFB3307PBF et IRFB3306PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRFB3307PBF IRFB3306PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6.3mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 200W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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